CVD SILICON CARBIDE

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CVD SILICON CARBIDE

CVD SILICON CARBIDEの特長

  • 超高純度(99.9995%)
  • 耐食性
  • 耐プラズマ性
  • コンタミ減少
  • 金属並み熱伝導率
  • 急速昇温などのヒートショックにも強い

CVD SILICON CARBIDEの代表特性

結晶構造 FCC β‐多結晶 耐熱温度 ~2700℃
粒度(μm) 5 密度(g cm-3) 3.21
硬度(kg mm-2)
 Knoop(500g load)
 vickers(500g load)
 
2540
2500
純度 99.9995%SiC
曲げ強さ(4-point)
 RT(MPa / Ksi)
 1400℃(MPa / Ksi)
 
415 / 60
575 / 84
ポアソン比 0.21
弾性率
 Sonic(GPa / 106Psi)
 4-point Flexure(GPa / 106Psi)
 
466 / 68
461 / 57
熱膨張率(K-1)
 RT
 RT to 1000℃
 
2.2 x 10-6
4.0 x 10-6
熱容量(JKg-1 K-1) 640 熱伝導率(Wm-1 K-1) 300
電気抵抗率
 低抵抗
 高抵抗
 
< 1Ω cm
> 1000Ω cm
格子定数 < 3RMS

CVD SILICON CARBIDEの用途

  • エッジリング、フォーカスリング各種リング
  • サセプター
  • ウェハーピン
  • 電極
  • ヒーター
  • スパッタリングターゲット